國立臺北科技大學「先進製程共同實驗室」會議紀錄

日期:九十六年七月二日10:10~12:00與七月六日 10:50~12:30

地點:綜科館318室與綜科館417室

主席: 余主任合興

出席人員:

芮祥鵬老師 鄭振宗老師 呂志誠老師 張淑美老師 王錫九老師 任貽均老師（王子建老師 王耀德老師 請假未出席）

記錄：李薇

討論事項:

討論本學年度擬採設備規格及機型等事宜。 

決議事項:

1.  電子槍規格 :
   終極壓力 :≦ 10 -7 Torr ( within 3 hr, main valve open )
   
   操作壓力 : ≦ 5 X 10 -6 Torr ( within 30 min , main valve open )
   
   膜厚均勻度 : ±5% ( ITO, SiO2, TiO2, Pt, Ti, Ag, Ge, Ni, W, Al2O3, SiNx等)，驗收時針對上述材料各選介質膜兩種與金屬膜兩種實際製鍍，須連續三鍋達到膜厚均勻度。
   
   托盤設計需能放置4”wafer 4片或2”wafer 10片或6”wafer 1 片。
   
   腔體需要有保護晶片裝置，以防晶片掉落碎片打壞真空設備。
   
   所有零件部品皆為原廠新品非二次品或再使用品,其中膜厚控制器,真空排氣系統各個真空pump, 電子槍系統及電子槍供應器系統,數位式真空量測系統需附上原廠出廠證明或進口海關完稅證明,以證明其為原廠新品。
2. 未來學生使用實驗室需規定實驗廢液如何處理，以防產生化學作用。
3. 實驗室的運作為了避免貴重機器在無人使用時的運轉，可以安排好學生的使用時間，避免浪費電以及機器的空轉。

散會